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砷化鎵(GaAs)晶圓切割實例
發布時間:2022-10-31 點擊數:4027

砷化鎵晶圓的材料特性

砷化鎵(GaAs)是國際公認的繼“硅”之后最成熟的化合物半導體材料,具有高頻率、高電子遷移率、高輸出功率、低噪音以及線性度良好等優越特性,作為第二代半導體材料中價格昂貴的一種,被冠以“半導體貴族”之稱,是光電子和微電子工業最重要的支撐材料之一。


砷化鎵晶圓的脆性高,與硅材料晶圓相比,在切割過程中更容易產生芯片崩裂現象,使芯片的晶體內部產生應力損傷,導致產品失效和使用性能降低。

砷化鎵晶圓的應用

用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點,可用于生產二極管、場效應晶體管(FET)和集成電路(IC)等,主要應用于高端軍事電子、光纖通信系統、寬帶衛星無線通信系統、測試儀器、汽車電子、激光、照明等領域。


目前,基于砷化鎵襯底的led發光芯片在市場上有大量需求。

選刀要點

切割砷化鎵晶圓,通常采用輪轂型電鍍劃片刀,選刀不當極易造成晶片碎裂,導致成品率偏低。用極細粒度金剛石(4800#,5000#)規格的刀片,能有效減少晶片碎裂,但切割之前需要進行修刀。

案例實錄

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測試目的

1、對比測試

2、驗證切割品質



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材料情況

切割產品

砷化鎵外延片

產品尺寸

4寸

產品厚度

100μm

膠膜類型

藍膜


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修刀參數

修刀板型號

5000#

尺寸規格

75x75x1mm

修刀速度

8/10/15 mm/s

修刀刀數

3種速度各5刀



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工藝參數

切割工藝

單刀切透

設備型號

DAD322

主軸轉速

38K rpm

進刀速度

CH2:25mm/s  CH1:35mm/s

刀片高度

CH2:0.08mm   CH1:0.07mm


?

樣刀準備


SSTYE 5000-R-90-AAA


?

樣刀規格

刀片型號

5000-R-90 AAA

金剛石粒度

5000#

結合劑硬度

R(硬)

集中度

90

切痕寬度

0.015-0.020


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測試結果

1、刀痕良好,<18μm,在控制范圍內。

2、正面崩邊<3μm。

3、背面崩邊<15μm,在控制范圍內。

切割效果

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